跟着信息技能的迅猛开展，集成电路的规范缩小和功用增强渐渐的变成了技能开展的首要趋势。但是，传统的硅基电子技能在面对规范缩放的应战时，遇到了严峻的功能瓶颈，如热散射、短沟道效应等问题，这样一些问题严峻影响了晶体管的功能和可靠性。因而，学术界和工业界开端重视寻觅新的通道资料来代替传统的硅资料，以应对这些应战。

  二维半导体，即原子薄的二维资料，如过渡金属二硫化物（TMDs）。这些资料因为其特有的范德华斥力和原子薄的结构，体现出在纳米规范下仍坚持优秀电特性的才能，且具有单片三维集成的潜力。但是，虽然二维半导体有着许多长处，其商业化和工业化使用仍面对许多应战，如制备工艺的兼容性、资料特性评价规范的缺少等。

  有鉴于此，美国麻省理工学院Ki Seok Kim，韩国三星电子Minsu Seol团队协作提出处理当时技能瓶颈的立异计划。作者探究了二维半导体在晶体管规划中的一起优势，如其超薄的厚度带来的优胜的栅操控才能和削减的寄生电容。经过研讨和试验验证，作者证明了二维半导体能够轻松又有效地处理传统硅资料所面对的规范缩放约束和功能衰减问题，从而为未来晶体管技能的开展供给了新的方向。

  总述标明，二维半导体在亚纳米规范下仍能坚持杰出的电特性，远优于传统晶体管资料。

  使用二维半导体制作的原型晶体管已显示出逾越传统晶体管的潜力，尤其在操作频率和寄生电容方面体现杰出。

  图1： 依据世界器材与系统路线图IRDS设定的路线图制作的栅极长度和晶体管密度的前史演化。

  科学定论】本文探究二维过渡金属二硫化物（2D TMDs）作为下一代半导体通道资料的潜力和应战。传统硅基电子器材面对规范缩放难题，而2D TMDs以其超薄且坚持高电特性的特性，成为打破传统约束的或许途径。经过试验和工业使用的研讨，本文提醒了2D TMDs在面对工艺稳定性、机械功能、热办理及电功能等多方面的应战时所面对的复杂性。

  此外，本文还提出了必要的技能立异和工艺优化途径，以完成2D TMDs从科学研讨到工业化出产的转化，从而推进下一代电子器材的开展。经过这一些尽力，作者能预见到在未来电子技能中，2D TMDs有望成为替代传统硅基资料的重要候选资料，为电子设备的功能和功耗方面带来明显的改善和立异。

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